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然而，开展多光谱探测器需要复杂的棱镜光学或干涉/干涉滤光片进行光谱识别，这阻碍了小型化和它们随后集成在光子集成电路中。此外，电侧电在构架策略指导下的BP基TFET的各项器件性能指标均能满足国际半导体路线图对高性能器件的性能要求。

通过施加应变可以实现两种能级的交换，事后司电将具有高态密度特征的重空穴带的能量提升，成为价带顶。当沟道长度减小到2.2nm，合约开态电流仍然可以达到900μA/μm以上，满足高性能应用的要求。然而，转让随着通道进一步缩小到5nm以下，源漏直接隧穿效应是一个严重的挑战，这会加剧泄漏电流和功耗。

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开展然而低的开态电流成为限制TFET在高性能器件中应用的关键难题。电侧电(f)破裂的金纳米片的TEM图。

(f)C、事后司电O和Au的相对原子浓度随刻蚀深度的关系。合约图4金纳米片的分子动力学模拟。

独特的机械和优异的导电特性使我们的金纳米片在很多领域具有巨大的应用潜力，转让例如柔性设备和可穿戴电子产品。(j,k)变形曲线典型金纳米颗粒的TEM图和相应的滤波图，交易及售未观察到明显的位错活动。